据财联社消息，日前，长鑫科技在第三季度业绩交流会中透露，在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F²架构。 长鑫科技此次落地的4F²架构，是全球DRAM产业公认的下一代核心技术路径。长鑫科技第六代DRAM工艺平台完成工程样片验证，标志着国产存储从产能追赶正式迈入架构创新的新阶段，也成为近年来国内DRAM产业加速突破的标志性事件。在AI算力爆发、全球存储景气周期持续上行的背景下，国产DRAM产业正依托技术攻关、政策扶持和市场需求三重红利，走出一条自主可控的成长路径。 作为算力底座，存力建设相关政策将持续为国产存储产业提供政策侧支撑。“十五五”规划强调半导体全产业链自主可控，DRAM作为存储核心品类，是政策重点支持方向，国产存储的扩产、工艺迭代，契合国内供应链自主的长期战略目标。 展望后市，本轮存储景气周期和过往由消费电子库存主导的行情存在本质差异：AI服务器单机存储搭载量远高于传统服务器，海外头部厂商将大部分可调配产能向HBM倾斜，传统通用DRAM供给持续收紧，机构测算全球DRAM供需缺口在2027年将进一步扩大，行业高景气度大概率延续至2027年下半年。行业景气周期之下，海外大厂供给偏紧，给国产产品留出宝贵的市场窗口期。 具体到A股市场，随着长鑫等本土龙头的产能持续释放，上游刻蚀、沉积等核心工序的设备材料国产化率显著提升，本土封测、接口芯片、存储模组等环节也将持续受益于扩产订单释放。叠加国内云厂商大额长期供货协议的落地，国产DRAM在服务器、消费电子、汽车电子等场景的渗透率将持续提升，在供应链安全与行业景气的双重加持下，整条存储产业链的成长确定性进一步增强。 |
