5月6日，韩国KOSPI指数收涨6.45%，报7384.56点。权重股方面，两大存储巨头携手大涨，三星电子涨14.41%，SK海力士涨10.64%。美股存储龙头美光科技和闪迪股价也再度创出历史新高。分析指出，上周美国科技四巨头谷歌、微软、亚马逊和Meta预告今年7000亿美元的资本支出提振了韩国存储巨头的炒作情绪。 东北证券认为，在AI时代HBM或为需求弹性最大的存储器，从英伟达Rubin到RubinUltra，HBM容量提升了4倍。HBM通过硅通孔技术将多个DRAM裸片进行3D垂直堆叠，是当前解决AI训练和高端大模型推理解码阶段带宽瓶颈的解决方案。从英伟达H100到H200，从B200到B300，HBM显存容量提升了50%；而从Rubin到RubinUltra，容量更是提升了4倍。HBM涨价预计至少持续到2027年，三大巨头与客户签订长期协议以提高需求可见性、降低资本支出风险，有利于提升存储厂的估值。 韩国两大存储巨头携手大涨，美股美光、闪迪逆势再创新高（受益概念股）如下： 一、存储原厂/设计（最核心受益） 兆易创新（603986） 国产存储全能龙头，NORFlash全球前三，利基DRAM量产，绑定长鑫存储；DRAM/NAND/NOR全品类受益涨价，MCU+存储双轮驱动。 澜起科技（688008） 全球内存接口芯片龙头，DDR5市占率40%-50%；HBM/DDR5接口芯片量价齐升，AI服务器需求爆发。 北京君正（300223） SRAM+DRAM+NAND全布局，车规/工业存储领先；利基存储+车载存储受益价格上行。 普冉股份（688766） 低容量NOR/EEPROM龙头，消费/工控/车载全覆盖；小容量存储涨价+国产替代弹性大。 二、存储模组（业绩弹性最大） 佰维存储（688525） 模组龙头，嵌入式/消费/企业/AI端侧全覆盖；NAND/DRAM涨价直接拉动毛利，2026年1-2月净利同比增921%-1086%。 江波龙（301308） 全球第二大独立模组厂，企业级SSD/DDR5/HBM批量供货云厂商；AI服务器订单饱满，库存增值显著。 德明利（001309） 存储模组+主控芯片，消费/工业/车载；模组+主控双受益，涨价周期业绩弹性高。 香农芯创（300475） 存储分销+模组，绑定长江/长鑫；分销+模组双轮驱动，库存增值+渠道溢价。 三、存储材料（HBM核心受益） 雅克科技（002409） HBM前驱体全球龙头，子公司为SK海力士HBM4介电层前驱体独家供应商，订单至2031年，毛利率>40%。 华海诚科（688535） 国内唯一量产HBM专用GMC环氧塑封料，适配12层HBM3E，通过SK海力士认证。 四、存储封测（先进封装受益） 长电科技（600584） 全球封测龙头，SK海力士HBM3E独家封测伙伴，XDFOI良率>98%，全球HBM封测份额约20%。 太极实业（600667） 合资海太半导体，独家承接SK海力士DRAM/HBM后段封测，合同至2027年，无锡HBM月产能12万片（全球约15%）。 通富微电（002156） 存储封测龙头，深度绑定长江/长鑫；先进封装+存储封测双受益。 五、存储设备（扩产受益） 中微公司（688012） 刻蚀设备龙头，3DNAND刻蚀达国际先进，绑定长江存储；存储扩产+先进制程升级带动设备需求。 北方华创（002371） 半导体设备平台，刻蚀/沉积/清洗全覆盖；国产存储扩产核心设备供应商。 受益逻辑总览 直接受益：模组/原厂/设计→产品提价+库存增值，毛利大幅提升。 间接受益：材料/设备/封测→存储大厂扩产+高端化，订单与单价双升。 核心驱动：AI算力需求爆发、原厂控产、库存低位、国产替代加速。 |
