我国正在研制下一代存储芯片速度提升1000倍（概念股）

2018-5-2 06:05| 发布者: adminpxl| 查看: 2556| 评论: 0

摘要: 据报道，武汉光电国家研究中心研发团队正在全力研发“下一代存储芯片”。研发负责人称，正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术，预计明年能在实验室研发成功。到时候，芯片的读写速度会比现在快1000倍， ...

据报道，武汉光电国家研究中心研发团队正在全力研发“下一代存储芯片”。研发负责人称，正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术，预计明年能在实验室研发成功。到时候，芯片的读写速度会比现在快1000倍，可靠性提高1000倍，一旦产业化成功，将颠覆产业格局。预计到2020年国内存储芯片的市场规模到5000亿元，进口替代空间巨大。可关注南大光电、紫光国芯等。

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