据财联社消息，SK海力士表示，将投资384亿美元在韩国本土扩张芯片业务。其中，计划在龙仁投资35.2万亿韩元（约249亿美元）用于第二阶段芯片厂建设。龙仁工厂将生产HBM及其他下一代DRAM。 近期，存储芯片巨头相继公布“千亿美元级”的投资/合作计划。三星和SK海力士相继公布，未来五年将在韩国建设多座半导体工厂，并大幅提升国内存储芯片产能。美国美光科技也宣布，到2035年将在美国本土半导体生产和研发领域投入2500亿美元。 7月31日，日本存储芯片企业铠侠控股释放强烈信号：随着“智能体AI”快速发展，存储芯片需求仍处于起步阶段。与此同时，全球五大存储芯片企业，三星电子、SK海力士、美光科技、铠侠以及闪迪26Q2的自由现金流合计达到14.8万亿日元净流入，同比暴增92倍。 近年来，人工智能等新兴技术迅猛发展，显著拉动了对高带宽存储芯片（如HBM）和动态随机存取存储器（DRAM）的需求。以HBM为例，作为AI基础设施的核心组件，需求量呈指数级增长，直接挤占传统存储产能。全球范围内，DRAM和NAND闪存价格持续飙升。 据集邦咨询数据，26Q1通用型DRAM合约价环比增长93%-98%，Q2环比增长58%-63%；NAND合约价Q1环比增长55%-60%，Q2环比增长55%-60%。展望后市，AI服务器、智能体及数据中心的高速扩张，意味着数据处理量呈指数级增长。推动存储芯片进入供不应求的超级周期。SEMI中国总裁表示，2026年HBM市场规模预计增长58%至546亿美元，HBM产能缺口仍达50%至60%。瑞银认为DRAM供需紧张至少持续至2028年上半年。 具体到A股市场，存储芯片产业的黄金周期已至，市场前景广阔。半导体设备与存储芯片板块价值凸显，尤其在AI数据中心、智能汽车等高增长场景中，相关企业有望分享行业成长红利。可关注技术领先、产能充足的国内龙头公司。 SK海力士扩产HBM及下一代DRAM，供不应求，存储芯片进入超级黄金周期（受益概念股）如下： 一、存储原厂/设计 兆易创新（603986） 国产存储全能龙头，NORFlash全球前三，利基DRAM量产，绑定长鑫存储；DRAM/NAND/NOR全品类受益涨价，MCU+存储双轮驱动。 澜起科技（688008） 全球内存接口芯片龙头，DDR5市占率40%-50%；HBM/DDR5接口芯片量价齐升，AI服务器需求爆发。 北京君正（300223） SRAM+DRAM+NAND全布局，车规/工业存储领先；利基存储+车载存储受益价格上行。 普冉股份（688766） 低容量NOR/EEPROM龙头，消费/工控/车载全覆盖；小容量存储涨价+国产替代弹性大。 二、存储模组 佰维存储（688525） 模组龙头，嵌入式/消费/企业/AI端侧全覆盖；NAND/DRAM涨价直接拉动毛利，2026年1-2月净利同比增921%-1086%。 江波龙（301308） 全球第二大独立模组厂，企业级SSD/DDR5/HBM批量供货云厂商；AI服务器订单饱满，库存增值显著。 德明利（001309） 存储模组+主控芯片，消费/工业/车载；模组+主控双受益，涨价周期业绩弹性高。 香农芯创（300475） 存储分销+模组，绑定长江/长鑫；分销+模组双轮驱动，库存增值+渠道溢价。 三、存储材料 雅克科技（002409） HBM前驱体全球龙头，子公司为SK海力士HBM4介电层前驱体独家供应商，订单至2031年，毛利率>40%。 华海诚科（688535） 国内唯一量产HBM专用GMC环氧塑封料，适配12层HBM3E，通过SK海力士认证。 四、存储封测 长电科技（600584） 全球封测龙头，SK海力士HBM3E独家封测伙伴，XDFOI良率>98%，全球HBM封测份额约20%。 太极实业（600667） 合资海太半导体，独家承接SK海力士DRAM/HBM后段封测，合同至2027年，无锡HBM月产能12万片（全球约15%）。 通富微电（002156） 存储封测龙头，深度绑定长江/长鑫；先进封装+存储封测双受益。 五、存储设备（扩产受益） 中微公司（688012） 刻蚀设备龙头，3DNAND刻蚀达国际先进，绑定长江存储；存储扩产+先进制程升级带动设备需求。 北方华创（002371） 半导体设备平台，刻蚀/沉积/清洗全覆盖；国产存储扩产核心设备供应商。 |
