近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（简称“中微公司”）宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到0.2A（亚埃级）。这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径100微米的500万分之一。这是等离子体刻蚀技术领域的又一次创新突破，进一步巩固了公司在高端微观加工设备市场的领先地位。截至目前，Primo D-RIE®以及下一代产品Primo AD-RIE®在逻辑客户的产线上的量产反应台已经超过2000台，并有近600个反应台在国际最先进的逻辑产线上量产，其中相当一部分机台已在5纳米及更先进的生产线上用于量产。 |
