长鑫科技集团股份有限公司（下称“长鑫科技”或公司）的上市辅导状态变更“辅导验收”，意味着长鑫科技IPO辅导完成，辅导机构为中金公司与中信建投。自7月初公司启动上市辅导至辅导完成，耗时约3个月。若成功上市，长鑫科技将成为A股“存储芯片第一股”。 推出多款DRAM商用产品 官网信息显示，创立于2016年的国产存储巨头——长鑫科技是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售。公司全资子公司长鑫存储技术有限公司（下称“长鑫存储”）作为一体化存储器制造商，专业从事动态随机存取存储芯片的设计、研发、生产和销售，目前已建成12英寸晶圆厂并投产。 目前，公司已推出多款DRAM商用产品，涵盖DDR4/DDR5、LPDDR4/LPDDR5系列，国内唯一实现通用型DRAM大规模量产的IDM企业，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。根据官网介绍，公司LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上一代LPDDR4X相比，LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。LPDDR5芯片预计也将赋能更多移动设备，满足数字时代日益增长的存储需求。 东方证券研报指出，公司计划在2025年底前交付第三代高带宽存储芯片（HBM3）样品，并预计从2026年开始全面量产，并计划于2027年开发HBM3E（HBM3的扩展版）。 根据华鑫证券梳理，长鑫存储产业链公司包括精智达、深科技、北方华创、华海清科、通富微电、京仪装备等。 从业绩来看，上述公司2024年均实现盈利，且机构一致预测2025年、2026年净利润有望持续增长。 精智达获机构一致预测2025年净利润增幅有望超过130%，2026年净利润增幅或超过50%。公司此前披露，其半导体存储器件测试设备主要用于在DRAM等半导体存储器件的晶圆制造环节对晶圆裸片进行电参数性能和功能测试，或在封装测试环节对芯片颗粒进行电参数性能和功能测试，以保证出厂的芯片性能和功能指标达到设计规范要求；公司主要客户包括长鑫科技、沛顿科技等半导体存储器厂商。 京仪装备获机构一致预测2025年、2026年净利润增幅持续超过40%，在3D NAND存储芯片领域，128层以上（含128层）为业内先进制程，公司产品已经适配国内最先进的192层3D NAND存储芯片制造产线，已广泛用于长江存储、中芯国际、广州粤芯等国内主流集成电路制造产线。 通富微电获机构一致预测2025年、2026年净利润增幅持续超过30%，公司涉及存储芯片的封测业务，与主要合作伙伴深入合作。公司在DRAM和NAND方面持续布局，产品覆盖PC端、移动端及服务器。 |
