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SK海力士宣布研发AI-DRAM和AI-NAND(受益概念股)

2025-11-5 09:19| 发布者: admin| 查看: 3| 评论: 0

摘要: SK海力士公布内存产品发展路径图,其正在研发包括HBM、AI-DRAM和AI-NAND在内的新型存储产品。
据媒体报道,SK海力士公布内存产品发展路径图,其正在研发包括HBM、AI-DRAM和AI-NAND在内的新型存储产品。据悉,为实现发展目标,SK海力士正在深化合作伙伴关系,例如与英伟达合作推进AI制造技术进步,与台积电合作开发下一代HBM基片,并与闪迪合作促进新兴的高带宽闪存(HBF)市场的国际标准化。

国泰君安证券指出,存储行业已进入新一轮上行周期,随着AI大模型训练和推理对内存容量的需求激增,HBM和DDR5内存的紧缺将进一步传导至整个存储产业链。

SK海力士宣布研发AI-DRAM和AI-NAND(受益概念股)如下:
长电科技(600584):全球封测龙头,通过收购星科金朋继承 SK 海力士 20 年封测技术遗产,为 SK 海力士提供 HBM 2.5D/3D 封装服务,6-8 层堆叠良率超 90%,合肥基地专门设立 HBM 产线。
太极实业(600667):子公司海太半导体为 SK 海力士提供 DRAM 封装测试超 15 年,承接其无锡厂约 70% 订单,技术达 16 层 DRAM 堆叠、适配 HBM3E,2025 年 HBM3 封装订单带动营收增长。
雅克科技(002409):子公司 UP Chemical 为 SK 海力士 HBM 介电层前驱体独家供应商,2024 年 HBM 相关业务收入占比达 35%,同时与华为联合研发 HBM4 前驱体,通过收购无锡爱思开希切入半导体设备清洗服务,直接服务 SK 海力士无锡厂。
华海诚科(688535):国内唯一实现 HBM 封装核心材料 GMC 量产的企业,产品已通过长电科技、通富微电认证,可满足 12 层 HBM3E 堆叠需求,间接受益于 SK 海力士 HBM 扩产。
赛腾股份(603283):通过收购日本 OPTIMA 进入 HBM 检测设备领域,检测精度达 0.1μm,设备已直供 SK 海力士,2024 年 SK 海力士订单数倍增长。


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